买卖IC网 >> 产品目录43558 >> STI42N65M5 MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号:

STI42N65M5

库存数量:570
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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其它有关文件 STI42N65M5 View All Specifications
产品培训模块 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
产品目录绘图 ST Series I2PAK
标准包装 50
系列 MDmesh™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 79 毫欧 @ 16.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4650pF @ 100V
功率 - 最大 190W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装 I2PAK
包装 管件
产品目录页面 1543 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-8899-5
相关资料
供应商
公司名
电话
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深圳市亿联芯电子科技有限公司 18138401919 吴经理
  • STI42N65M5 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 13.86 13.86
    10 12.474 124.74
    25 11.36544 284.136
    100 10.2564 1025.64
    250 9.4248 2356.2
    500 8.5932 4296.6
    1,000 7.4844 7484.4
    2,500 7.2072 18018
    5,000 6.93 34650